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开关电源RC吸收电路图文分析-KIA MOS管
这里由于电容具有开关电源开启瞬间短路的性质，所以R12和R15的后级都被短路了，等效电容C0为E3、E5电容并联再与C2串联。而电容串联的计算是等效为电阻并联的计算，即串联的电容越小，等效电容越小，所以我们直接按最小的电容C2进行计算，即等效电容C0为1.2nF，...www.kiaic.com/article/detail/3590.html 2022-06-15
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连续模式PFC功率MOSFET电流有效值、平均值计算-KIA MOS管
在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流斩波为和输入正弦波电压同相位的、具有正弦波包络线的开关电流波形，从而提高输入的功率因数，减小输入谐波分量。www.kiaic.com/article/detail/3589.html 2022-06-15
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MOS管3203 30V100A参数 TO-252封装 原厂送样-KIA MOS管
MOS管3203 30V100A参数-特点RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术极低通阻RDS(通)符合JEDEC标准www.kiaic.com/article/detail/3588.html 2022-06-14
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MOS管散热、功率、电流参数关联分析-KIA MOS管
MOS管有如下参数：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。www.kiaic.com/article/detail/3587.html 2022-06-14
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【MOS管驱动电路图】电机干扰与防护处理-KIA MOS管
1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s （源）。www.kiaic.com/article/detail/3586.html 2022-06-14
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MOS管栅极电阻的功耗计算详解-KIA MOS管
驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管寄生电容为1nF，栅极串联电阻为20Ω，这个电阻消耗的功率是多大？www.kiaic.com/article/detail/3585.html 2022-06-13
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【电路精选】MOS管门极驱动电路图文-KIA MOS管
由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量缩短激励脉冲上升时间至关重要。激励脉冲的上升时间主要取决于MOS管的导通速度。www.kiaic.com/article/detail/3584.html 2022-06-13
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反激式开关电源变压器设计要点-KIA MOS管
反激式变压器适合小功率电源以及各种电源适配器。但是反激式变换器的设计难点是变压器的设计，因为输入电压范围宽，特别是在低输入电压，满负载条件下变压器会工作在连续电流模式，而在高输入电压，轻负载条件下变压器又会工作在不连续电流模式。www.kiaic.com/article/detail/3583.html 2022-06-13
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【电子精选】振铃现象的解决方法（二）-KIA MOS管
并行匹配，即使负载端的阻抗与传输线的阻抗匹配。并行匹配是在负载端附近并行接入特定的元件来使负载的阻抗降低到与传输线相匹配的范围内。其主要有以下三种接入方式。www.kiaic.com/article/detail/3582.html 2022-06-10
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【电子精选】振铃现象的解决方法（一）-KIA MOS管
振铃现象属于信号完整性问题，其解决方法通常为端接匹配技术。进行信号完整性的分析需用到IBIS 模型和EDA工具，其中IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对1/O BUFFER快速准确建模的方法www.kiaic.com/article/detail/3581.html 2022-06-10
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开关电源电感电压波形过冲、下冲-KIA MOS管
过冲和下冲原理是一样的，这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间，可以等效为上图开关闭合的瞬间。可以理解给了一个阶跃信号，因此电压过冲是该RCL电路对阶跃输入电压的输出响应。www.kiaic.com/article/detail/3580.html 2022-06-10
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【MOSFET干货】消除推挽过冲讲解-KIA MOS管
在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而，如图1所示，尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时，n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。www.kiaic.com/article/detail/3579.html 2022-06-09
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MOS管RC缓冲电路参数计算详解-KIA MOS管
为了降低开关节点产生的尖峰电压，可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中，整流二极管关断（高边开关导通）时，RC缓冲电路可将二极管的接合部、寄生电感、寄生电容、PCB版图的电感中积蓄的电荷放电，并通过电阻转换为热，从而降低尖峰电压。www.kiaic.com/article/detail/3578.html 2022-06-09
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【电子精选】RC吸收电路的设计-KIA MOS管
保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，从而保证开关管正确可靠地运行；并降低EMI的水平。www.kiaic.com/article/detail/3577.html 2022-06-09